Pulbere de Indiumeste un element metalic cu simbolul și un număr atomic de 49, localizat în grupul IIIA din a cincea perioadă a tabelului periodic. CAS 7440-74-6, formula moleculară este în care este un metal alb argintiu cu o culoare albastru deschis. Are o textură moale și poate fi zgâriată de unghii. Plasticitate puternică, ductilitate bună și poate fi comprimată în foi. Metalul de Indium este utilizat în principal ca materie primă pentru fabricarea aliajelor cu punct de topire scăzut, aliaje de rulment, semiconductoare, surse de lumină electrică, etc. Indium este non-toxic, dar ar trebui evitat de la contactul cu pielea și ingestia. Datorită permeabilității și conductivității puternice ale luminii sale, aceasta este utilizată în principal în producerea țintelor ITO (pentru producerea de afișaje de cristal lichid și ecrane plate), care este principala zonă de consum a lingourilor de indiu, reprezentând 70% din consumul global de indist.
|
Formula chimică |
În |
|
Liturghie exactă |
115 |
|
Greutate moleculară |
115 |
|
m/z |
115 (100.0%), 113 (4.5%) |
|
Analiza elementară |
În, 100.00 |
|
|
|
Pulbere de Indium, ca metal rar, a devenit o resursă strategică indispensabilă în tehnologia și industria modernă, datorită proprietăților sale fizice și chimice unice. De la ecranele smartphone -urilor până la tijele de control al reactorului nuclear, de la celulele fotovoltaice la calculul cuantic, aplicarea Indium a pătruns în fiecare aspect al vieții umane.
1.1 Material țintă ITO și film conductiv transparent
Cea mai mare suprafață de consum de indiu (reprezentând 70% din lume) este producția de ținte de oxid de staniu (ITO), care sunt utilizate pentru fabricarea electrozilor conductori transparenti pentru afișaje de cristal lichid (LCD), ecrane tactile, ecrane OLED și panouri solare. Filmul ITO este depus pe substraturi de sticlă sau poliester printr-un proces de sputtering în vid, cu o transmisie de peste 90% și o rezistență la suprafață de până la 10-100 Ω/□, echilibrând perfect conductivitatea și transparența.
Cazuri tipice de aplicare:
Smartphone -uri și televizoare: Peste 90% din ecranele globale de smartphone -uri folosesc filmul ITO. Grosimea stratului ITO a televizorului OLED de 65 inci al unui anumit brand este de doar 200 nanometri, dar poartă 95% din transmisia semnalului tactil.
CONSTRUCTIE STIPURI DE ENERGIE: Sticlă scăzută acoperită cu ITO poate reduce consumul de energie al clădirii cu 30%. Această tehnologie este aplicată pe sticla de perete exterioară a clădirii Centrului Shanghai, reducând emisiile de dioxid de carbon cu mai mult de 2000 de tone anual.
Parbrizul aviației: parbrizul aeronavei Boeing 787 este integrat cu filmul de încălzire ITO, care poate de gheață în 10 minute într -un mediu de -50 de grade, crescând eficiența de 5 ori în comparație cu soluțiile tradiționale de sârmă de rezistență.
1.2 noi tehnologii de afișare
Indium prezintă potențial în câmpuri emergente, cum ar fi micro -LED și afișaje cuantice. Punctele cuantice cu fosfură de indină (INP) pot obține o acoperire 100% NTSC Color Gamut. Televiziunea DOT cuantică de 8K lansată de un anumit producător are o grosime a stratului cuantic cuantic INP de doar 5 microni, ceea ce crește puritatea culorii cu 40% în comparație cu soluțiile tradiționale.
2.1 Materiale semiconductoare compuse
Indium este componenta principală a semiconductorilor compuși, cum ar fi fosfura de indiu (INP), arsenida de indiu (INAS) și nitrura de galiu de Indium (Ingan) și este utilizată pe scară largă în câmpuri precum comunicarea 5G, senzor cu fibră optică și radar laser.
Cazul de descoperire tehnologică:
Amplificator de putere 5G de bază: Pe baza tranzistorului de mobilitate electronică INP (HEMT), frecvența de funcționare poate ajunge la 300 GHz, iar densitatea puterii este de trei ori mai mare decât dispozitivele GAAS. După ce stația de bază 5G de bază a furnizorului de echipamente de comunicare adoptă INP PA, raza de acoperire este extinsă cu 20%.
LIDAR de conducere autonomă: laser cu lumină albastră bazată pe Ingan (450nm), combinată cu fotodetector INP atinge detectarea la o distanță de 200 de metri. Modulul LIDAR al modelului Tesla Y adoptă această soluție, care crește densitatea norului punctului cu 50%.
2.2 Tehnologia de fabricație și dopaj de cipuri
Indium, ca dopant de tip P, poate îmbunătăți semnificativ performanța tranzistoarelor de germaniu. Tranzistorul cuantic cuantic de antimonidă Indium (INSB) dezvoltat de un anumit laborator are o mobilitate electronică de 300000 cm ²/(v · s) la o temperatură scăzută de 3K, care este de 100 de ori mai rapidă decât dispozitivele pe bază de siliciu și oferă materiale potențiale pentru cipuri de calcul cuantice.
3.1 Celule fotovoltaice
Selenida de galiu din cupru Indium (CIGS) Celulele solare subțiri sunt o aplicare reper a Indium în câmpul energetic. Eficiența sa de conversie fotoelectrică atinge 23,35% (conform datelor de laborator ZSW din Germania) și are o performanță excelentă a luminii slabe, generând cu 15% mai multă energie electrică decât celulele de siliciu cristaline pe vreme ploioasă.
Progresul industrializării:
CONSTRUCTII POTOVOLTAICĂ INTEGRATĂ (BIPV): un produs de perete de perdea din sticlă Cigs lansat de o anumită întreprindere cu o densitate de putere de 180W/m ² a fost aplicată la Dubai Solar Tower Project, generând peste 5 milioane kWh de energie electrică anual.
Dispozitiv fotovoltaic flexibil: o celulă Cigs flexibilă folosind electrozi transparenti cu oxid de zinc Indium (IZO), cu o rază de îndoire de până la 2 mm. O companie a integrat -o în aripa unui drone, prelungind timpul de rezistență cu 30%.
3.2 Industria nucleară
Aliajul de indiu joacă un rol crucial în reactoarele nucleare:
Materialul tijei de control: izotopul de indiu-115 are o secțiune transversală de absorbție a neutronilor termici din 199 BAR. Un al patrulea generație de reactor rapid răcit cu sodiu utilizează în tije de control al aliajului Ag, ceea ce îmbunătățește precizia reglării fluxului de neutroni cu 20%.
Detector de neutroni: un detector de semiconductori bazat pe INP cu o rezoluție energetică de 0,3% (@ 662Kev), care este de 10 ori mai mare decât detectoarele tradiționale HE-3. A fost utilizat pentru monitorizarea fluxurilor de neutroni la reactorul experimental termonuclear ITER International.
4.1 Aliaje cu punct de topire scăzut
Aliajul format din Indium, Bismut, Tin și alte metale (punctul de topire 47-122 grade) este utilizat pe scară largă în:
Sistemul de stropire de foc: în BI SN din aliajele utilizate într -un centru de date se pot topi cu exactitate la 68 de grade, cu un timp de răspuns cu 3 secunde mai rapid decât duzele tradiționale de bilă de sticlă, reducând pierderile de foc cu 40%.
Material de sacrificiu de imprimare 3D: O companie de aviație a dezvoltat un aliaj de sacrificiu care conține indig pentru fabricarea de găuri de răcire a filmului cu lamă de turbină, cu o precizie de imprimare de 0,05 mm, care este de 5 ori mai eficientă decât prelucrarea tradițională a descărcării electrice.
4.2 Acoperire rezistentă la uzură și anticoroziune
Acoperirile bazate pe Indium funcționează excelent în medii extreme:
Rulmenții aerospațiali: Principalele rulmenți ai unui anumit model de motor sunt acoperiți cu nichel de indiu, ceea ce reduce rata de uzură la 0,1 μ m/h la o temperatură ridicată de 500 de grade și prelungește durata de viață a rulmenților necorestinați de 8 ori.
Echipament marin: suprafața elicelor de nave este acoperită cu aliaj Zn, care are o rezistență la coroziune de până la 1000 de ore într -un mediu de pulverizare cu sare de 3,5%, de trei ori mai mare decât acoperirea cu crom.
5.1 Radioizotopi
Indium-111 (jumătate de viață 2,8 zile) este un nuclid de bază în imagistica medicală:
Diagnostic tumoral: injecția de octreotidă etichetată cu IN-111 se poate lega în mod specific de receptorii tumorii neuroendocrini. Un studiu clinic a arătat că sensibilitatea sa a ajuns la 92%, ceea ce este cu 25% mai mare decât examenul CT.
Monitorizarea inflamației: Scanarea de celule albe din sânge etichetate în 111 poate localiza focarele de infecție ascunsă, cu o rată de precizie de 95% în diagnosticul infecțiilor artificiale ale articulațiilor.
5.2 Biosenzori
Senzorii pe bază de fosfură de indiu (INP) apar în domeniul medical:
Monitorizarea non -invazivă a glicemiei: senzorul de undă de puls de capacitate fotoelectrică INP dezvoltat de o anumită companie atinge monitorizarea continuă a glicemiei prin analizarea modificărilor spectrelor de piele, cu o gamă de eroare de<10%. It has been recognized as a breakthrough device by the FDA.
Secvențiere ADN:Pulbere de IndiumTranzistoarele cu efect de câmp nanowire pot detecta modificări ale curentului atunci când trece o singură moleculă de ADN. O echipă a folosit această tehnologie pentru a crește viteza de secvențiere la 1000 de baze pe secundă, care este de 10 ori mai rapidă decât platforma Illumina.
Procesul de extracție al Indium este în principal metoda de electroliză de extracție, care este, de asemenea, tehnologia de proces -mainstream a producției de indiu în lume astăzi. Principiul procesului de proces este: Indium care conține materii prime → îmbogățire → dizolvare chimică → purificare → Extracție → Extracție a spatelui → Înlocuire a zincului (aluminiu) → Indium de burete → Rafinare electrolitică → Indium rafinat.
90% din producția de Indium din lume provine din produsele secundare ale tombreșterilor de plumb și zinc. Metoda de recuperare a topinilor de indiu este în principal de recuperare a Indiumului din cupru, plumb și zinc de topire, zgură și noroi de anod prin îmbogățire. Conform sursei de materii prime recuperate și diferența de conținut de indiu, se aplică diferite procese de extracție pentru a obține cea mai bună configurație și venituri maxime. Tehnologiile de proces comune includ zgură de oxidare, înlocuirea metalelor, îmbogățirea electrolitică, extracția de levigare acid, electroliza de extracție, schimbul de ioni, rafinarea electrolitică, etc. În prezent, extracția de solvent este utilizată pe scară largă, ceea ce este un proces de separare și extracție extrem de eficientă. Aplicarea metodei de schimb de ioni în recuperarea Indiumului nu a fost raportată în industrializare. În procesul de separare a inniului de staniu și cupru, care sunt dificil de volatilizat, cea mai mare parte a Indiumului este concentrat în cenușă de ardere și scrum. În separarea zincului volatil și a cadmiumului, Indiul este îmbogățit în zgură de cuptor și zgură de filtru.
În procesul ISP și procesul de topire a zincului, cea mai mare parte a Indiumului din concentrat este concentrată în plumbul brut produs în procesul de rectificare a zincului brut. Pentru a recupera inniul bogat în Indium și plumb, procesul de extragere a Indiumului prin fierbere alcalină a fost întotdeauna adoptat, care are dezavantajele capacității mici de producție, a costului ridicat de producție și a ratei scăzute de recuperare a metalelor.
Pentru a simplifica procesul de extracție al Indiumului, reducerea costului de producție și îmbunătățirea ratei de recuperare a metalelor, având în vedere procesul de producție inițial de extragere a Indiumului, proiectul a studiat și a dezvoltat procesul de extracție a „bogatului cu plumb brut cu plumb cu plumb cu plumb cu plumb de plumb, prin test de condiție, test de ciclu și test complet și a determinat cei mai buni parametri de proces ai noului proces. Fluxul procesului este următorul: plumbul brut este topit și turnat într -o placă de electrod, încărcat într -o celulă electrolitică pentru electroliză, iar indicul din anod este dizolvat în electrolit. Când inniul este îmbogățit la o anumită concentrație, electrolitul este extras pentru extracție și dezbrăcare. Soluția bogată de dezbrăcare a Indiumului este obținută după reglarea pH -ului, înlocuirea și topirea peleților.
Mai multe noi tehnologii pentru separarea și extragereaPulbere de Indium: Principalele materiale de separare utilizate în aceste noi tehnologii includ membrană lichidă, rășină chelatoare, rășină impregnantă și microcapsulă. În condiții adecvate, Indium poate fi separat și recuperat eficient prin utilizarea acestor tehnologii. Aceste noi tehnologii oferă o nouă alegere pentru separarea și recuperarea Indiumului.
Adăugarea pulberii de metale de in Indium în superconductor de magneziu diborură îmbunătățește foarte mult densitatea de curent critic de superconductor a diboridei de magneziu, care este un alt pas către practic. Când densitatea curentului care trece prin superconductor depășește o anumită valoare, superconductorul își va pierde superconductivitatea, care este densitatea de curent critic de superconductor. Este un indice important pentru măsurarea performanței superconductorilor. Pulberea de metal de indiu este adăugată la diboride de magneziu și prelucrată în sârmă după tratarea termică la 2000 de grade. Densitatea sa de curent critic supraconductor este de 4 ori mai mare decât cea fără indiu, ajungând la 100000 de amperi pe centimetru pătrat. Acest lucru se datorează faptului că metalul de Indium pătrunde între boabele de diborură de magneziu, îmbunătățind astfel aderența acestuia.
Indium are unele proprietăți chimice similare cu zincul și fierul, în timp ce alte proprietăți chimice sunt similare cu staniu și aluminiu. Indium are trei stări de oxidare: 1, 2 și 3. Trivalent este cel mai frecvent, în timp ce trivalentul este stabil într -o soluție apoasă. Compușii monovalenți suferă de obicei dismutați atunci când sunt încălziți. Indiul este unul dintre cele mai moi metale solide, care este destul de stabilă în aer. La temperaturi normale, metalul de Indium nu este oxidat de aer, dar arde sub căldură puternică și produce oxid de Indium (III) cu o flacără roșie albastră plictisitoare. Suprafața metalului de Indium este ușor de purificat și, odată expusă atmosferei, apare o peliculă subțire similară cu suprafața aluminiului. Filmul subțire este dur, dar ușor de solubil în acidul clorhidric. Când temperatura crește ușor deasupra punctului său de topire, suprafața metalică rămâne strălucitoare; Oxid se formează la suprafață la temperaturi ridicate.
Între temperatura camerei și punctul de topire, indicul reacționează lent cu oxigenul în aer, formând o pensie extrem de subțire de oxid de indiu (IN2O3) pe suprafața sa. La temperaturi mai ridicate, interacționează cu materiale active nemetalice. Bucăți mari de metal de Indium nu reacționează cu apă clocotită și soluții alcaline, dar indicul pudră poate reacționa lent cu apă pentru a produce hidroxid de indiu. Indium reacționează lent cu acizi diluți la rece și este ușor solubil în acizi anorganici calzi concentrați, precum și acid acetic și acid oxalic. Indium poate forma aliaje cu multe metale (în special fier, care este oxidat semnificativ). Principalele stări de oxidare ale Indium sunt +1 și +3, iar principalele compuși sunt in2o3, în (OH) 3 și incl3. Atunci când sunt combinate cu halogeni, pot forma monohalide și, respectiv, trihalide. [3] Când este încălzit, indicul poate reacționa cu halogeni, sulf, fosfor, precum și arsenic, antimoniu, seleniu și telurium. Reacționează cu hidrogen și azot pentru a produce hidruțe și, respectiv, nitride. Indium poate forma amalgamul de mercur cu mercur și aliaje de formulare de Indium cu majoritatea metalelor însoțite de efecte semnificative de întărire. Indium poate forma legături covalente în compușii săi, ceea ce poate afecta comportamentul său electrochimic. Unele soluții de sare de Indium au o conductivitate scăzută, ceea ce indică proprietățile lor de legătură neionice. Reacția electrodului de indiu necesită o energie de activare medie ridicată, iar utilizarea unui electrolit de legare a reacției electrodului reversibil poate electroliza indiu.Pulbere de Indiumeste ușor de electroplat în indiu folosind săruri de cianură, sulfat, fluoroborat și aminosulfonat.
Tag-uri populare: Indium Powder CAS 7440-74-6, furnizori, producători, fabrică, en-gros, cumpărare, preț, vrac, de vânzare